
真空泵:真空泵是真空系统的核心部件,负责将炉内空气抽出,营造气相沉积所需的真空环境。常见的真空泵有机械泵、扩散泵、分子泵等。机械泵作为初级真空泵,可将炉内压力从大气压降低至1021-1023 Pa范围,为后续高真空泵的工作创造条件。扩散泵和分子泵则属于高真空泵,能进一步将压力降低至1022-1022Pa甚至更低,满足不同气相沉积工艺对真空度的严格要求。
真空测量装置:为了精确监测炉内真空度,气相沉积炉配备了真空测量装置,如热偶规、电离规等。热偶规适用于测量低真空范围(1-103 Pa),通过测量气体分子与热丝碰撞传递的热量来推算压力。电离规则用于测量高真空范围(1021-1022Pa),利用电子碰撞气体分子产生离子流,通过检测离子流强度来确定真空度。这些测量装置实时反馈炉内真空度信息,确保沉积过程在合适的真空条件下进行。
二、加热系统
加热元件:加热元件是实现气相沉积炉升温的关键部件。常见的加热元件包括电阻丝、硅碳棒、石墨加热器等。电阻丝通常由镍铬合金或铁铬铝合金制成,通过电流通过电阻丝产生的焦耳热来加热炉体,适用于较低温度(一般低于1000℃)的沉积工艺。硅碳棒则具有较高的耐高温性能,可在1300-1600℃的高温下工作,常用于中高温气相沉积。石墨加热器在高温环境下具有良好的导电性和热稳定性,适用于超高温(1600℃以上)的气相沉积工艺,如化学气相沉积金刚石薄膜等。
温度控制系统:为了精确控制炉内温度,气相沉积炉配备了温度控制系统。该系统主要由热电偶、温控仪表和控制器组成。热电偶作为温度传感器,将炉内温度信号转换为电信号反馈给温控仪表。温控仪表根据设定的温度值与热电偶反馈的实际温度值进行比较,通过控制器调节加热元件的电流或电压,从而实现对炉内温度的精确控制。先进的温度控制系统还具备PID调节功能,能够根据温度变化的速率和偏差自动调整控制参数,确保炉内温度的稳定性和准确性。
三、气体供应系统
气源:气相沉积过程需要多种气体参与,因此气体供应系统配备了各类气源,如反应气体源、载气气源等。反应气体是参与气相沉积化学反应的关键气体,例如在化学气相沉积制备二氧化硅薄膜时,硅烷(SiH2)和氧气(O2)就是重要的反应气体。载气则用于携带反应气体进入炉内,并协助反应气体在炉内均匀分布,常见的载气有氩气(Ar)、氮气(N2)等。气源通常采用高压气瓶或气体发生器的形式,通过管道与气体流量控制系统相连。
气体流量控制系统:为了精确控制进入炉内的气体流量,气体供应系统配备了气体流量控制系统。该系统主要由质量流量计、流量调节阀和控制器组成。质量流量计能够精确测量气体的质量流量,并将流量信号反馈给控制器。控制器根据设定的流量值与质量流量计反馈的实际流量值进行比较,通过调节流量调节阀的开度来控制气体流量。先进的气体流量控制系统可实现多气体的独立精确控制,确保气相沉积过程中各种气体的比例和流量满足工艺要求。
四、沉积室
炉体:沉积室是气相沉积发生的场所,其炉体通常由耐高温、耐腐蚀的材料制成,如不锈钢、石英、石墨等。不锈钢炉体具有良好的机械性能和耐腐蚀性,适用于大多数常规气相沉积工艺。石英炉体具有良好的透光性和化学稳定性,常用于需要观察内部沉积过程或对杂质含量要求严格的气相沉积工艺。石墨炉体则具有耐高温、热导率高的特点,适用于高温气相沉积工艺。
样品架与夹具:为了固定和放置待沉积的样品,沉积室内配备了样品架与夹具。样品架的设计需根据样品的形状、尺寸和沉积工艺要求进行定制,确保样品在沉积过程中能够均匀地接受气相沉积。夹具则用于将样品牢固地固定在样品架上,防止样品在沉积过程中因气流冲击或温度变化而发生位移。一些先进的样品架还具备旋转或摆动功能,可进一步提高薄膜沉积的均匀性。
五、尾气处理系统
尾气收集装置:气相沉积过程中会产生一些未反应的气体、反应副产物以及挥发性物质,这些尾气如果直接排放到大气中,会对环境造成污染。因此,气相沉积炉配备了尾气收集装置,通过管道将沉积室内的尾气收集起来,输送到尾气处理系统进行处理。
尾气处理设备:尾气处理设备根据尾气的成分和性质进行选择,常见的尾气处理方法有冷凝法、吸附法、燃烧法等。冷凝法适用于处理沸点较高的气体,通过降低尾气温度使其中的可凝性气体凝结成液体,从而实现分离和回收。吸附法利用吸附剂(如活性炭、分子筛等)对尾气中的有害物质进行吸附,达到净化尾气的目的。燃烧法适用于处理可燃性尾气,通过将尾气在高温下燃烧,将其中的有害物质转化为无害的二氧化碳和水等物质排放到大气中。

综上所述,气相沉积炉由真空系统、加热系统、气体供应系统、沉积室和尾气处理系统等多个部件组成。这些部件相互配合,共同营造了气相沉积所需的真空、温度、气体氛围等条件,确保气相沉积过程的顺利进行,从而制备出高质量的薄膜材料。感谢阅读,想了解更多欢迎继续阅读《气相沉积炉怎么清洗,气相沉积炉清洗方法大全》。